модель

DSE5120

рабочего напряжения

DC8.0V для 35.0V (продолжать поставлять)

потребитель мощности

< 3W (стенд модель: ≤2W)

генератора ввода напряжения :

20V AC - 360 V AC (ph-N) 3 фаза 4wire

20V AC - 360 V AC (ph-N) 3 фаза 4wire

30V AC - 620 V AC (ph рН) 3 фазы 3wire

20V AC - 360 V AC (ph-N)

20V AC - 360 V частота переменного тока (ph-N)

50/60 Гц

скорость датчик напряжения:

1.0 -70Vpp

датчик скорости частота:

Max 10000 Гц

стартовой релейный выход:

16Amp

топлива релейный выход:

16Amp

Программируемые реле выход 1:

16Amp

программируемый релейный выход 2:

16Amp

Программируемые реле выхода 3:

16Amp

Программируемые реле выхода 4 :

16Amp

мощность переключения программируемый релейный выход 5:

16Amp

сетевой переключатель реле программируемый релейный выход 6 :

10Amp 250VAC

размер:

240 x 172 мм x 57 мм

выстукивать размер:

214 мм x 160 мм

текущий трансформатор вторичного электрические

5А

рабочем состоянии:

температура (-25 ~ + 70) ℃ влажность (20 ~ 90) %

хранения условие:

температура (-40 ~ + 70) Вес ℃

:

0,9 кг

материал и технология

полиэстер конденсатор

полупроводниковых питания устройства

все импортированные устройства управления питанием IC, сильноточных модель с Соединенных Штатов

главного мощность резисторов

регулировка потенциометра

США BOURNS Оригинальный

чип конденсаторы

Сямыни Фарах

клей

пу охраны окружающей среды, в то же время не изменяет электрические свойства высокой температуры и высокой температуры характеристики

больше преимуществ

1. после строгой полностью функциональной и тестирования производительности и высокой температуры старения , каждая партия коэффициента надежности теста 3%. Параметры каждого Совета rigorously испытано и скорректированные, полностью совместима с оригинальной продукции

2. Высокая стабильность ключевых компонентов продукта, мы используем компоненты коэффициент низкой температуры для обеспечения продукта

3. оригинал два транзистора и 2 унций большой ток плат (большинство обычных плат-1 унция) для обеспечения высокой надежности в мощных полупроводниковых элементов